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广东佛山美台二极管交货周期

发布时间:2019-12-04 14:39:09 |信息来源:捷比信

广东佛山美台二极管交货周期
  • 品牌:DIODES
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  晶体管与晶闸管的区别

  (1)晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。

  (2)晶闸管又叫可控硅,有阳极、阴极和控制极,其内有四层PNPN半导体,三个PN结。控制极不加电压时,阳极(+)、阴极(-)间加正向电压不导通,阴极(+)、阳极(-)间加反向电压也不导通,分别称为正向和反向。阳极(+)、阴极(-)加正向电压,控制极(+)、阴极(-)加一电压触发,可控硅导导通,此时控制极去除触发电压,可控硅仍导通,称为触发导通。要想关断(不导通),只要电流小于维持电流就行了,去除正向电压也能关断。

  

  单结晶体管和晶闸管的识别检测

  [1] 单结管即单结晶体管,又称为双基极二极管,是一种具有一个PN结和两个欧姆电极的负阻半导体器件。常见的有陶瓷封装和金属壳封装的单结晶体管。

  

  [2] 单结晶体管可分为N型基极单结管和P型基极单结管两大类。单结晶体管的文字符号为“VT”,图形符号如图所示。

  

  [3] 单结晶体管的主要参数有① 分压比η,指单结晶体管发射极E至基极B1间的电压(不包括PN结管压降)在两基极间电所占的比例。② 峰点电压UP,是指单结晶体管刚开始导通时的发射极E与基极B1的电压,其所对应的发射极电流叫做峰点电流IP。③ 谷点电压UV,是指单结晶体管由负阻区开始饱和区时的发射极E与基极B1间的电压,其所对应的发射极电流叫做谷点电流IV。

  

  [4] 单结晶体管共有三个管脚,分别是发射极E、基极B1和第二基极B2。图示为两种典型单结晶体管的管脚电极。

  

  [5] 单结晶体管重要的特性是具有负阻性,其基本工作原理如图示(以N基极单结管为例)。当发射极电压UE大于峰点电压UP时,PN结处于正向偏置,单结管导通。随着发射极电流IE的,大量空穴从发射极注入硅晶体,发射极与基极间的电阻急剧减小,其间的电位也就减小,呈现出负阻特性。

  

  [6] 检测单结晶体管时,万用表置于“R%26amp; TImes;1k”挡,检测两基极间电阻两表笔(不分正、负)接单结晶体管除发射极E以外的两个管脚,读数应为3~10kΩ。

  

  [7] 检测PN结正向电阻(N基极管为例,下同)黑表笔接发射极E,红表笔分别接两个基极,读数均应为数千欧。对调两表笔后检测PN结反向电阻,读数均应为无穷大。如果测量结果与上述不符,说明被测单结管已损坏。

  

  [8] 测量单结晶体管的分压比η按图示搭接一个测量电路,用万用表“直流10V”挡测出C2上的电压UC2,再按公式η=UC2/UB计算即可。

  

  [9] 单结晶体管的基本应用是组成脉冲产生电路,包括振荡器、波形发生器等,并可使电路结构大为简化。图示为单结晶体管弛张振荡器。单结管VT的发射极输出锯齿波,基极输出窄脉冲,第二基极输出方波。RE与C组成充放电回路,改变RE或C即可改变振荡周期。该电路振荡周期T≈REC ln[1/(1-η)],式中,ln为自然对数,即以e(2.718)为底的对数。

  

  [10] 单结晶体管还可以用作晶闸管触发电路。图示为调光台灯电路。在交流电的每半周内,晶闸管VS由单结管VT输出的窄脉冲触发导通,调节RP便改变了VT输出窄脉冲的时间,即改变了VS的导通角,从而改变了流过灯泡EL的电流,实现了调光的目的。

  

  [11] 晶体闸流管简称为晶闸管,也叫做可控硅,是一种具有三个PN结的功率型半导体器件。常见的晶闸管有塑封式、陶瓷封装式、金属壳封装式和大功率螺栓式等形状。晶体闸流管可分为单向晶闸管、双向晶闸管、可关断晶闸管等多种。

  

  这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。[]当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。[]当二极管两端的正向电压超过一定数值,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为V,锗管约为V。硅二极管的正向导通压降约为~V,锗二极管的正向导通压降约为~V。

  [12] 晶体闸流管的文字符号为“VS”,图形符号如图示。晶闸管的主要参数有额定通态平均电流、正反向峰值电压、维持电流、控制极触发电压和电流等。使用时应注意不能超过其极限参数指标,并留有一定余量,以免造成器件损坏。

  

  [13] 晶闸管具有三个电极。单向晶闸管的三个电极是阳极A、阴极K、控制极G。双向晶闸管的三个电极是两个主电极T1、T2以及控制极G。使用中应注意识别。

  

  对于锗二极管,开启电压为V,导通电压UD约为V。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏[]。正向特性外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。

  [14] 晶闸管具有可控的单向导电性,即不但具有一般二极管单向导电的整流作用,而且可以对导通电流进行控制。单向晶闸管是PNPN四层结构,形成三个PN结,具有三个外电极A、K和G,可等效为PNP、NPN两晶体管组成的复合管,见图14左边。在A、K间加上正向电压后,管子并不导通。此时在控制极G加上正电压时,VT1、VT2相继迅速导通,此时即使去掉控制极电压,管子仍维持导通状态。双向晶闸管可以等效为两个单向晶闸管反向并联,见图14右边,双向晶闸管可以控制双向导通,因此除控制极G外的另两个电极不再分阳极阴极,而称之为主电极T1、T2。

  广东佛山美台二极管交货周期

  [15] 检测单向晶闸管万用表置于“R%26amp; TImes;10Ω”挡,黑表笔接控制极G,红表笔接阴极K,测量其正向电阻,应有较小的阻值。对调两表笔测其反向电阻,应比正向电阻明显大一些。测量控制极G与阳极A之间的正、反向电阻,均应为无穷大。这是因为G、A间为两个PN结反向串联,不论正、反向均不应导通,否则晶闸管已坏。

  

  读数与标称阻值之间分别容许有±%±%或±%的误差。如不符合,超出误差范围,则阐明该电阻值变值了。B细致时,分外是在测几十kΩ以上阻值的电阻时,手不要触及表笔和电阻的导电部门;被检测的电阻从电路中焊下来,至多要焊开一个头,以免电路中的其他元件对产生影响,造成测量误差;色环电阻的阻值固然能以色环标记来确定,但在使用时好照旧用万用表一下实在际阻值。水泥电阻的检测。检测水泥电阻的方法及细致事变与检测普通牢固电阻完全雷同。

  [16] 检测双向晶闸管万用表置于“R%26amp; TImes;1Ω”挡,两表笔测量控制极G与主电极T1间的正、反向电阻,均应为较小阻值。测量控制极G与主电极T2间的正、反向电阻,均应为无穷大。

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  [17] 检测单向晶闸管导通特性万用表置于“R%26amp; TImes;1Ω”挡,黑表笔接阳极A,红表笔接阴极K,表针指示应为无穷大。用螺丝刀等金属物将控制极G与阳极A短接一下(短接后即断开),表针应向右偏转并保持在十几欧姆处。检测双向晶闸管导通特性黑表笔接主电极T1,红表笔接主电极T2,表针指示应为无穷大。将控制极G与主电极T2短接一下,表针应向右偏转并保持在十几欧姆处。如不符合上述情况则说明晶闸管已损坏。

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  []动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比。[]电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。[]高工作高工作是二极管工作的上限。因二极管与PN结一样,其结电容由势垒电容组成。所以高工作的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。[]大整流电流大整流电流是指二极管连续工作时,允许通过的大正向平均电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。

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